Ещё из раздела
- 4C256M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C256M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C32M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C32M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- 4C32M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C32M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C32M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C32M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C32M16D3-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- 4C32M16D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3L-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C32M16MD1A-5BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -30÷85°C
- 4C32M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -40÷85°C
- 4C4M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C512M16D3LA-10BAN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA-10BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA-10BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA10BANT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LA10BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA10BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LB-12BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
- 212 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 703 ₽
- 10 шт. — 1 584 ₽
- 25 шт. — 1 536 ₽
- 50 шт. — 1 499 ₽
1 703 ₽
В корзину
Доступно 212 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 211 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 142 ₽
- 25 шт. — 139 ₽
142 ₽
В корзину
Доступно 211 шт.
- 210 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 612 ₽
- 16 шт. — 2 386 ₽
- 32 шт. — 2 329 ₽
- 64 шт. — 2 272 ₽
- 112 шт. — 2 227 ₽
2 612 ₽
В корзину
Доступно 210 шт.
- 210 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 653 ₽
- 5 шт. — 1 533 ₽
- 25 шт. — 1 372 ₽
- 100 шт. — 1 164 ₽
1 653 ₽
В корзину
Доступно 210 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 209 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 138 ₽
- 10 шт. — 137 ₽
- 100 шт. — 117 ₽
138 ₽
В корзину
Доступно 209 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 208 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 891 ₽
- 25 шт. — 1 856 ₽
1 891 ₽
В корзину
Доступно 208 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 207 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 80 ₽
- 25 шт. — 76 ₽
- 100 шт. — 74 ₽
80 ₽
В корзину
Доступно 207 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 205 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 471 ₽
- 25 шт. — 461 ₽
471 ₽
В корзину
Доступно 205 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 205 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 103 ₽
- 10 шт. — 102 ₽
103 ₽
В корзину
Доступно 205 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 205 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 645 ₽
- 10 шт. — 3 380 ₽
- 25 шт. — 3 274 ₽
- 50 шт. — 3 195 ₽
- 180 шт. — 3 050 ₽
3 645 ₽
В корзину
Доступно 205 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 205 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 645 ₽
- 10 шт. — 3 380 ₽
- 25 шт. — 3 274 ₽
- 50 шт. — 3 195 ₽
- 180 шт. — 3 050 ₽
3 645 ₽
В корзину
Доступно 205 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 203 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 233 ₽
- 25 шт. — 1 206 ₽
1 233 ₽
В корзину
Доступно 203 шт.