Ещё из раздела
- AS4C128M16D2-25BCN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C
- AS4C128M16D2-25BIN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
- AS4C128M16D2A-25BC IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C
- AS4C128M16D2A-25BI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
- AS4C128M16D3A-12BC Память; DDR3,SDRAM; 128Мx16бит; 1,5В; 800МГц; FBGA96; 0?70°C
- AS4C128M16D3B-12BC Память DRAM; 128Мx16бит; 1,5В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C
- AS4C128M16D3LA12BC Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C
- AS4C128M16D3LB12BC Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C
- AS4C128M16D3LB12BI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- AS4C128M8D2-25BCN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷70°C
- AS4C128M8D2-25BIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷85°C
- AS4C128M8D3B-12BCN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C
- AS4C128M8D3B-12BIN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C
- AS4C128M8D3LB12BCN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C
- AS4C16M16D1-5BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; лоток
- AS4C16M16D1-5BIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток
- AS4C16M16D1A-5TCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток
- AS4C16M16D1A-5TIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C16M16D2-25BCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C
- AS4C16M16D2-25BIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-6TCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M16SA-6TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M16SA-6TIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C16M16SA-6TINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MACRONIX INTERNATIONAL
- 222 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 198 ₽
- 10 шт. — 186 ₽
- 25 шт. — 181 ₽
- 92 шт. — 174 ₽
- 184 шт. — 170 ₽
198 ₽
В корзину
Доступно 222 шт.
- 222 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 556 ₽
- 10 шт. — 1 447 ₽
- 25 шт. — 1 403 ₽
- 50 шт. — 1 370 ₽
- 100 шт. — 1 337 ₽
1 556 ₽
В корзину
Доступно 222 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 221 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 191 ₽
- 25 шт. — 189 ₽
191 ₽
В корзину
Доступно 221 шт.
MACRONIX INTERNATIONAL
- 220 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 350 ₽
- 5 шт. — 319 ₽
- 25 шт. — 276 ₽
- 92 шт. — 251 ₽
350 ₽
В корзину
Доступно 220 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 220 шт. — 4 недели
- 40 шт. — 348 ₽
- 50 шт. — 329 ₽
- 100 шт. — 313 ₽
348 ₽
В корзину
Доступно 220 шт.
от 40 шт. и кратно 40
- 220 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 038 ₽
- 50 шт. — 936 ₽
- 100 шт. — 874 ₽
- 125 шт. — 852 ₽
1 038 ₽
В корзину
Доступно 220 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 220 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 159 ₽
- 25 шт. — 154 ₽
- 100 шт. — 147 ₽
159 ₽
В корзину
Доступно 220 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 217 шт. — 4 недели
- 138 шт. — 100 ₽
100 ₽
В корзину
Доступно 217 шт.
от 138 шт. и кратно 138
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 215 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 126 ₽
- 25 шт. — 122 ₽
126 ₽
В корзину
Доступно 215 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 214 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 220 ₽
- 25 шт. — 211 ₽
220 ₽
В корзину
Доступно 214 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 214 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 135 ₽
- 25 шт. — 131 ₽
135 ₽
В корзину
Доступно 214 шт.
- 213 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 282 ₽
- 25 шт. — 1 177 ₽
- 50 шт. — 1 123 ₽
- 100 шт. — 1 050 ₽
- 125 шт. — 1 026 ₽
1 282 ₽
В корзину
Доступно 213 шт.
EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 213 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 967 ₽
- 10 шт. — 5 521 ₽
- 135 шт. — 5 064 ₽
5 967 ₽
В корзину
Доступно 213 шт.