Ещё из раздела
- 4C32M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C32M16D3-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷95°C
- 4C32M16D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C32M16D3L-12BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C32M16MD1A-5BCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -30÷85°C
- 4C32M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FPBGA60; -40÷85°C
- 4C4M16D1A-5TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- 4C512M16D3LA-10BAN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA-10BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA-10BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LA10BANT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LA10BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LA10BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D3LB-12BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB-12BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C512M16D3LB12BCNT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D3LB12BINT IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C512M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C512M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C512M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
- 255 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 995 ₽
- 3 шт. — 957 ₽
- 10 шт. — 854 ₽
- 50 шт. — 767 ₽
995 ₽
В корзину
Доступно 255 шт.
- 254 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 199 ₽
- 5 шт. — 182 ₽
- 25 шт. — 162 ₽
- 100 шт. — 143 ₽
199 ₽
В корзину
Доступно 254 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 254 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 74 ₽
- 25 шт. — 73 ₽
- 100 шт. — 69 ₽
74 ₽
В корзину
Доступно 254 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 253 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 80 ₽
- 25 шт. — 76 ₽
- 100 шт. — 74 ₽
80 ₽
В корзину
Доступно 253 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 253 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 434 ₽
- 25 шт. — 416 ₽
- 100 шт. — 412 ₽
434 ₽
В корзину
Доступно 253 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 252 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 82 ₽
- 25 шт. — 80 ₽
- 100 шт. — 79 ₽
82 ₽
В корзину
Доступно 252 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 252 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 73 ₽
- 25 шт. — 67 ₽
- 100 шт. — 67 ₽
73 ₽
В корзину
Доступно 252 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 251 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 138 ₽
- 25 шт. — 1 111 ₽
1 138 ₽
В корзину
Доступно 251 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 251 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 951 ₽
- 10 шт. — 1 813 ₽
- 25 шт. — 1 758 ₽
- 50 шт. — 1 716 ₽
- 100 шт. — 1 674 ₽
1 951 ₽
В корзину
Доступно 251 шт.
- 250 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 203 ₽
- 10 шт. — 1 120 ₽
- 25 шт. — 1 086 ₽
- 50 шт. — 1 037 ₽
- 100 шт. — 1 012 ₽
1 203 ₽
В корзину
Доступно 250 шт.
- 250 шт. — 4 недели
- 38 шт. — 367 ₽
- 50 шт. — 257 ₽
- 100 шт. — 242 ₽
367 ₽
В корзину
Доступно 250 шт.
от 38 шт. и кратно 38
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 248 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 461 ₽
- 25 шт. — 451 ₽
461 ₽
В корзину
Доступно 248 шт.