Ещё из раздела
- MAX505BCNG+ IC: ЦАП; 8бит; Ch: 4; 5В; DIP24
- MAX517ACPA+ ЦАП; 8бит; Каналы:1; 5В; DIP8 распродажа
- MAX517ACSA+ IC: ЦАП; 8бит; Ch: 1; 5В; SO8
- AS4C2M32D1A-5BCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C; лоток
- AS4C2M32D1A-5BIN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; лоток
- AS4C2M32SA-6TCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C2M32SA-6TCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C2M32SA-6TIN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; -40÷85°C
- AS4C2M32SA-6TINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,5нс; TSOP86; -40÷85°C
- AS4C2M32SA-7TCN IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C2M32SA-7TCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,5нс; TSOP86; 0÷70°C
- AS4C32M16D1-5BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; 0÷70°C; параллельный
- AS4C32M16D1-5BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷95°C; параллельный
- AS4C32M16D1A-5TCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток
- AS4C32M16D1A-5TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C32M16D2A-25BCN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- AS4C32M16D2A-25BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C
- AS4C32M16SA-7TCN Память DRAM; SDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; 0?70°C
- AS4C32M16SA-7TCNTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; 0÷70°C
- AS4C32M16SA-7TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; -40÷85°C
- AS4C32M16SA-7TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-6TIN IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- CD74HC00M IC: цифровая; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 2÷6ВDC; HC
Микросхемы
121 046 позицийПо умолчанию