Каталог товаров

FQD9N25TM-F080

FQD9N25TM-F080
FQD9N25TM-F080
  • FQD9N25TM-F080
  • FQD9N25TM-F080

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

FQD9N25TM-F080

Производитель

Купить FQD9N25TM-F080 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

FQD9N25TM-F080 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; DPAK

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 55Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология QFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 20нC
Выбрано: Показать
Ток стока 4,7А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 250В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,42Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 29,6А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти