SI1308EDL-T1-GE3

всего в наличии 2696 шт
Количество Цена ₽/шт
3 66
25 50
100 44
500 40
3000 37
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
  • Условия
    Минимально 3 шт и кратно 3 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI1308EDL-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Купить SI1308EDL-T1-GE3 от 3 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1308EDL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; SC70

  • Рассеиваемая мощность
    0,3Вт
  • Заряд затвора
    4,1нC
  • Полярность
    полевой
  • Ток стока
    1,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Производитель
    VISHAY
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SC70
  • Сопротивление в открытом состоянии
    132мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация